污染晶圆标准

污染晶片标准是 NIST 可追溯的颗粒晶片标准,包括尺寸证书,沉积有单分散二氧化硅纳米颗粒和 30 nm 和 2.5 微米之间的窄尺寸峰,用于校准 KLA-Tencor Surfscan SP3、SP5 SP5xp 晶片的尺寸响应曲线检测系统和日立 SEM 和 TEM 系统。 二氧化硅污染晶片标准以完全沉积的形式沉积,在整个晶片上具有单一粒径; 或者可以作为 SPOT 沉积进行沉积,其中 1 个或多个二氧化硅粒度标准精确地位于晶片周围。 二氧化硅污染晶片标准用于 KLA-Tencor Surfscan 工具、日立 SEM 和 TEM 工具的尺寸校准。

典型的二氧化硅尺寸链接如下,客户要求将其沉积在 75 毫米至 300 毫米的污染晶圆标准上。 Applied Physics 可以产生您需要的介于 30nm 和 2500nm 之间的任何二氧化硅尺寸峰值,并在原始硅晶片表面周围沉积许多二氧化硅点沉积物。

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污染晶片标准可以作为完整沉积或点沉积沉积在原始硅晶片上,具有窄的粒径标准峰。 30 纳米到 2.5 微米的颗粒晶片标准可以在晶片周围提供 1 个或多个点沉积,每个沉积尺寸的受控颗粒计数在 1000 到 2500 之间。 晶圆上的完全沉积还提供了晶圆上从 5000 到 10000 个粒子的粒子计数。 二氧化硅污染晶片标准用于校准使用高功率激光器的扫描表面检测系统 (SSIS) 的尺寸精度响应,例如 KLA-Tencor SP2、SP3、SP5、SP5xp 和日立晶片检测工具。 污染晶片标准品沉积有二氧化硅纳米粒子,以校准使用高功率扫描激光器(例如 KLA-Tencor SP5 和 SPx)的晶片检测系统的尺寸响应曲线。 就激光能量而言,二氧化硅颗粒比 PSL 球更坚固。 表面扫描检测系统(例如 Surfscan SP1 和 Surfscan SP2)的激光强度使用的激光功率低于更新的 KLA-Tencor Surfscan SP3、SP5 和 SPx 工具,以及日立的图案化晶圆检测系统。 所有这些晶片检测系统都使用沉积有 PSL 球或 SiO2 颗粒的污染晶片标准来校准这些晶片检测系统的尺寸响应曲线。 然而,随着激光功率的增加,发现球形聚苯乙烯乳胶颗粒在高激光强度下会收缩,导致对 PSL 晶圆尺寸标准的重复激光扫描导致激光尺寸响应不断降低。 SiO2 颗粒和 PSL 球的折射率非常接近。 当两种类型的颗粒都沉积在原始硅晶片上并由晶片检测工具扫描时,二氧化硅和 PSL 球的激光尺寸响应相似。 由于二氧化硅纳米颗粒可以承受更多的激光能量,因此在 KLA-Tencor SP3、SP5 和 SPx Surfscan 工具中使用的当前激光功率水平下,收缩不是问题。 因此,使用二氧化硅的污染晶片标准可用于生成与 PSL 球体非常相似的真实颗粒尺寸响应曲线。 因此,使用二氧化硅颗粒校准粒径响应允许从 PSL 污染晶片标准(用于旧的、低功率 SSIS 晶片检测系统)过渡到使用二氧化硅纳米颗粒的污染晶片标准,用于更高功率的 SSIS 工具。 沉积在 100 纳米及以上直径的污染晶片标准由 KLA-Tencor Surfscan SP1 扫描。 粒径低于 100nm 的晶圆标准由 KLA-Tencor Surfscan SP5 和 SP5xp 扫描

污染晶片标准,点沉积,二氧化硅微球在 100nm,0.1 微米

两种类型的沉积物中均提供了污染晶圆标准品:完全沉积或点沉积,如上所示。

沉积100nm的二氧化硅颗粒,上方沉积两个斑点。

半导体行业的计量管理人员使用污染晶圆标准来校准SSIS工具的尺寸精度。 计量管理人员可以指定晶圆尺寸,沉积类型(SPOT或FULL),所需的颗粒数和要沉积的颗粒尺寸。 在5000mm和25000mm全沉积晶圆上,颗粒数通常为200到300。 而SPOT沉积的尺寸通常为1000到2500。 污染晶圆标准可以完全沉积的形式生产,尺寸范围从50nm到5微米。 单点沉积和多点沉积也可以在50nm至2微米范围内使用。 点沉积晶片的优点是可以在干净的硅晶片表面围绕的原始硅晶片上沉积1或更大的粒度。 在单个晶片上沉积多个粒度时,在单个晶片扫描和晶片检查工具的尺寸校准过程中,在较大的动态尺寸范围内挑战晶片检查工具是有利的。 完全沉积,污染的晶圆标准品具有在单个粒径下校准SSIS的优势,同时挑战了SSIS在单次扫描中对整个晶圆进行统一扫描验证的挑战。 校准晶圆标准品包装在单个晶圆盒中,通常在星期一或星期二装运,以在本周结束之前到达。 使用100mm,125mm,150mm,200mm,300mm和450mm原始硅晶圆。 使用Tencor 150扫描6200mm或以下的污染晶圆标准品,而使用SP200 Surfscan扫描300mm,1mm。 参照NIST可追溯标准,提供了污染晶圆标准尺寸证书。 图案和胶片晶圆以及空白光罩也可以沉积以创建污染晶圆标准。

污染晶圆标准– 200mm,全深,1.112微米

污染晶圆标准,颗粒校准标准– 300mm,全沉积,102nm

污染晶圆标准,300mm,多点沉积:125nm,147nm,204nm,304nm,350nm

带点沉积的污染晶片标准:

Applied Physics 可以产生您需要的介于 30nm 和 2500nm 之间的任何二氧化硅尺寸峰值,并在原始硅晶片表面周围沉积许多二氧化硅点沉积物。 污染晶圆标准 – 询价

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