粒子晶圆标准

PSL晶圆标准品和二氧化硅颗粒晶圆标准品是使用颗粒沉积系统生产的，该系统将首先使用差分迁移率分析仪（DMA）分析PSL尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。 DMA是一种高度精确的粒子扫描工具，结合了凝结粒子计数器和计算机控制，可以根据NIST可追溯的粒径校准来隔离出一个高度精确的粒径峰。 一旦确认了粒径峰，就将粒径流引导至底硅晶圆标准表面； 在整个晶圆上以完全沉积的方式沉积时，或在晶圆周围特定位置的点沉积时进行计数。 晶圆标准高度精确地用于校准KLA-Tencor Surfscan SP1，KLA-Tencor Surfscan SP2，KLA-Tencor Surfscan SP3，KLA-Tencor Surfscan SP5，Surfscan SPx，Tencor 6420，Tencor 6220，Tencor 6200，ADE，Hitachi以及Topcon SSIS工具和晶圆检查系统。 – 2300 XP1颗粒沉积系统可以使用PSL Spheres或150nm至200um的二氧化硅颗粒在300mm，30mm和2mm的晶片上沉积。

差分迁移率分析仪，DMA电压扫描，二氧化硅尺寸峰，100nm
差分迁移率分析仪，DMA电压，100nm处的二氧化硅粒径峰
用差动迁移率分析仪扫描PSL Spheres尺寸标准品和硅胶尺寸标准品，以确定真实的尺寸峰。 一旦分析了尺寸峰，就可以将晶圆标准液沉积为全沉积或点沉积，或多点沉积晶圆标准液。 在上方扫描100纳米（0.1微米）处的二氧化硅尺寸峰，并且DMA在101nm处检测到真实的二氧化硅尺寸峰。

全沉积或点沉积晶圆标准

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颗粒沉积系统提供了高度准确的PSL校准晶圆标准品和二氧化硅污染晶圆标准品。

我们的2300 XP1颗粒沉积系统可提供自动颗粒沉积控制，以生产您的PSL晶圆标准品和二氧化硅晶圆标准品。

颗粒沉积应用
高分辨率，NIST可追踪DMA（差分迁移率分析仪）的大小和分类超过了新的SEMI标准M52，M53和M58协议，以实现PSL尺寸精度和尺寸分布宽度
在60nm，100nm，269nm和900nm进行自动沉积尺寸校准
先进的差分淌度分析仪（DMA）技术具有自动温度和压力补偿功能，可提高系统稳定性和测量精度
自动沉积工艺可在一个晶片上进行多个点沉积
晶圆上的全部晶圆沉积； 或晶圆上任何位置的点沉积
高灵敏度允许从20nm到2um的PSL球体和二氧化硅颗粒沉积
沉积二氧化硅颗粒，以使用大功率激光扫描仪对晶圆检查系统进行校准
沉积PSL球体，以使用低功率激光扫描仪对晶圆检查系统进行校准
将PSL球和二氧化硅颗粒沉积在原始硅晶圆标准品或150mm光掩模上。

PSL校准晶圆标准，二氧化硅污染晶圆标准
颗粒沉积工具用于在晶圆标准品上沉积非常精确的PSL尺寸标准品或二氧化硅颗粒尺寸标准品，以校准各种晶圆检测系统。

PSL校准晶圆标准，用于使用低功率激光扫描晶圆来校准晶圆检查系统。
二氧化硅污染晶圆标准，用于使用大功率激光扫描晶圆来校准晶圆检查系统。
校准掩模标准品或二氧化硅掩模标准品
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我们的2300 XP1在125mm和150mm硼硅酸盐掩模上沉积了NIST可追溯认证的掩模标准。

125mm掩模上的PSL校准掩模标准
150mm面罩上的二氧化硅污染标准