PSL校准晶圆标准，二氧化硅污染晶圆标准
颗粒沉积工具用于在晶圆标准品上沉积非常精确的PSL尺寸标准品或二氧化硅颗粒尺寸标准品，以校准各种晶圆检测系统。
- PSL校准晶圆标准，用于使用低功率激光扫描晶圆来校准晶圆检查系统。
- 二氧化硅污染晶圆标准，用于使用大功率激光扫描晶圆来校准晶圆检查系统。
校准掩模标准品或二氧化硅掩模标准品
我们的 2300 XP1 在 75 毫米至 300 毫米晶圆直径的硼硅酸盐掩模和基本硅上沉积 NIST 可追溯、认证的掩模标准。
- 125mm 和 150mm 面罩上的 PSL 校准面罩标准
- 150mm面罩上的二氧化硅污染标准
- 75mm 至 300mm 校准晶片标准
- 75mm 至 300mm 二氧化硅污染晶片标准
校准晶圆标准 – 获取报价
污染晶片标准品、校准晶片标准品和二氧化硅颗粒晶片标准品使用颗粒沉积系统生产，该系统将首先使用微分迁移率分析仪 (DMA) 分析 PSL 尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。 DMA 是一种高度准确的粒子扫描工具，结合冷凝粒子计数器和计算机控制，可根据 NIST 可追踪粒径校准分离出高度准确的粒径峰。 一旦尺寸峰被验证，颗粒尺寸流被引导到主要硅、晶片标准表面。 粒子在沉积在晶片表面之前被计数，通常作为整个晶片的完全沉积。 或者，可以在晶片周围的特定位置沉积多达 8 种颗粒尺寸作为点沉积。 晶圆标准品为 KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、Surfscan SPx、Tencor 6420、Tencor 6220、Tencor 6200、ADE、 Hitachi 和 Topcon SSIS 工具和晶圆检测系统。
Applied Physics 美国
差分迁移率分析仪，DMA电压扫描，二氧化硅尺寸峰，100nm
Applied Physics 美国 |
用差动迁移率分析仪扫描PSL Spheres尺寸标准品和硅胶尺寸标准品，以确定真实的尺寸峰。 一旦分析了尺寸峰，就可以将晶圆标准液沉积为全沉积或点沉积，或多点沉积晶圆标准液。 在上方扫描100纳米（0.1微米）处的二氧化硅尺寸峰，并且DMA在101nm处检测到真实的二氧化硅尺寸峰。
全沉积或点沉积晶圆标准 – 颗粒沉积系统提供了高度准确的PSL校准晶圆标准品和二氧化硅污染晶圆标准品。
我们的2300 XP1颗粒沉积系统可提供自动颗粒沉积控制，以生产您的PSL晶圆标准品和二氧化硅晶圆标准品。
颗粒沉积应用
- 高分辨率，NIST可追踪DMA（差分迁移率分析仪）的大小和分类超过了新的SEMI标准M52，M53和M58协议，以实现PSL尺寸精度和尺寸分布宽度
- 在60nm，100nm，269nm和900nm进行自动沉积尺寸校准
- 先进的差分淌度分析仪（DMA）技术具有自动温度和压力补偿功能，可提高系统稳定性和测量精度
- 自动沉积工艺可在一个晶片上进行多个点沉积
- 晶圆上的全部晶圆沉积； 或晶圆上任何位置的点沉积
- 高灵敏度允许从20nm到2um的PSL球体和二氧化硅颗粒沉积
- 沉积二氧化硅颗粒，以使用大功率激光扫描仪对晶圆检查系统进行校准
- 沉积PSL球体，以使用低功率激光扫描仪对晶圆检查系统进行校准
将PSL球和二氧化硅颗粒沉积在原始硅晶圆标准品或150mm光掩模上。